场效应管(MOSFET)_AP5N10M_规格书

简介

AP5N10M是一款N沟道功率MOSFET，具有100V的耐压和5A的连续漏极电流。它的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时典型值为115mΩ，最大值为145mΩ。这款MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高开关速度。

主要特性

• 低导通电阻：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为115mΩ，减少了导通损耗。
• 高开关速度：适合高频开关应用，如不间断电源（UPS）和电机控制。
• 环保设计：符合无铅产品标准。

应用场景

• 电源开关应用：如开关电源、DC-DC转换器等。
• 高频电路：适用于硬开关和高频电路。
• 电机控制：用于电机驱动和控制电路。

设计建议

• PCB设计：在高频应用中，建议使用短而宽的走线以减少寄生电感。栅极驱动电路应尽量靠近MOSFET，以减少开关延迟。
• 散热设计：由于AP5N10M的最大功耗为2W，建议使用散热片或风扇进行散热，尤其是在高负载条件下。

购买方式

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