AP25N06K数据手册

AP25N06K N沟道增强型功率MOSFET:选型、应用与设计指南

1. 产品概述

AP25N06K是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg)。这款MOSFET适用于多种电源开关应用,尤其是在高频电路和不间断电源(UPS)中表现出色。无论是工业设备还是消费电子产品,AP25N06K都能提供高效、可靠的电源管理解决方案。

2. 主要特性

  • 漏源电压(VDS:60V
  • 导通电阻(RDS(ON):26mΩ(VGS=10V)
  • 漏极电流(ID:30A(连续),70A(脉冲)

这些特性使得AP25N06K在高电流和高频应用中表现出色,尤其是在需要低功耗和高效率的场合。

3. 极限参数

参数符号数值单位
漏源电压VDS60V
栅源电压VGS±20V
连续漏极电流(Ta=25°C)ID30A
连续漏极电流(Tc=100°C)ID17A
脉冲漏极电流IDM70A
最大功耗PD50W
单脉冲雪崩能量EAS100mJ
工作结温和存储温度范围TJ, TSTG-55 ~ 175°C

这些极限参数确保了AP25N06K在各种极端条件下的可靠性和稳定性。

4. 电性能参数

参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
漏源击穿电压BVDSSVGS=0V, ID=250µA60V
零栅压漏电流IDSSVDS=60V, VGS=0V1µA
栅极阈值电压VGS(th)VDS=VGS, ID=250µA1.03.0V
静态漏源导通电阻RDS(ON)VGS=10V, ID=15A2630
正向跨导gfsVDS=5V, ID=4.5A11S
输入电容CissVDS=30V, VGS=0V, F=1.0MHz1890pF
输出电容Coss168pF
反向传输电容Crss132pF
总栅极电荷QgVDS=48V, ID=10A, VGS=10V49nC

这些电性能参数为工程师提供了详细的设计参考,确保在各种应用场景中都能实现最佳性能。

5. 应用案例

案例1:不间断电源(UPS)

在UPS系统中,AP25N06K可以用于电源开关模块,确保高效的能量转换和低功耗。其低导通电阻和高电流处理能力使得UPS在长时间使用时仍能保持高效和稳定。

案例2:高频开关电路

对于高频开关电路,如DC-DC转换器,AP25N06K的高效开关特性可以显著提高系统的整体效率,减少能量损耗。

案例3:工业电源管理

在工业电源管理中,AP25N06K的低功耗特性可以显著提高系统的整体效率,延长设备的使用寿命。

6. 设计方案与PCB设计

设计方案

在设计电源开关电路时,AP25N06K可以作为开关元件,用于控制电源的开关和调节。其低导通电阻和高电流处理能力使得电路设计更加简洁高效。

PCB设计

在PCB设计中,建议将AP25N06K放置在靠近电源输入和输出的位置,以减少线路损耗。同时,确保足够的散热设计,以应对高电流下的热量积累。

7. 对比进口品牌

与某些进口品牌相比,AP25N06K在导通电阻、栅极电荷和电流处理能力上具有明显优势。某些进口品牌虽然历史悠久,但参数落后于时代,材料不扎实,服务没本地化还冷漠,经常断货涨价。而AP25N06K不仅性能优异,还提供厂家技术支持,服务快捷,确保您的设计无忧。

8. 性能参数详解

  • 导通电阻(RDS(ON):26mΩ,这意味着在导通状态下,MOSFET的电阻非常低,能够有效减少能量损耗。
  • 栅极电荷(Qg:49nC,低栅极电荷意味着MOSFET的开关速度更快,适合高频应用。
  • 漏源电压(VDS:60V,能够承受较高的电压,适用于多种电源管理场景。

9. 总结

AP25N06K是一款高性能的N沟道功率MOSFET,适用于各种电源开关和高频电路。其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的应用场景,使其成为工程师的理想选择。无论是UPS、高频开关电路还是工业电源管理,AP25N06K都能提供高效、可靠的解决方案。

希望这篇文章能帮助您更好地了解AP25N06K,并在您的设计中发挥其最大潜力。如果您有任何问题或需要进一步的技术支持,请随时联系我们的代理商深圳市力贝电子有限公司,QQ906391763。

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