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AP20P30S数据手册
AP20P30S P沟道功率MOSFET：选型、应用与设计指南
1. 产品概述
AP20P30S是一款P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），采用SOP-8塑料封装。这款MOSFET具有低导通电阻和高电流处理能力，非常适合用于电源管理、便携式设备和电池供电系统。无论是笔记本电脑、便携设备还是电池供电系统，AP20P30S都能提供高效的电源管理解决方案。
2. 主要特性
- 漏源电压（VDS）：-30V
- 漏极电流（ID）：-15A（VGS = -20V）
- 导通电阻（RDS(ON)）：<11mΩ（VGS = -20V），<12mΩ（VGS = -10V）
这些特性使得AP20P30S在高电流应用中表现出色，尤其是在需要低功耗和高效率的场合。
3. 极限参数
| 参数 | 符号 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -30 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流（Ta=25°C） | ID | -15 | A |
| 连续漏极电流（Ta=70°C） | ID | -12 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -80 | A |
| 单操作功耗（Ta=25°C） | PD | 3 | W |
| 单操作功耗（Ta=100°C） | PD | 2.1 | W |
| 最大结温 | Tj | 150 | °C |
| 存储温度范围 | Tstg | -55 ~ 150 | °C |
| 热阻（结到环境） | RθJA | 40 | °C/W |
| 热阻（结到引线） | RθJL | 30 | °C/W |
这些极限参数确保了AP20P30S在各种极端条件下的可靠性和稳定性。
4. 电性能参数
| 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | ID=-250µA, VGS=0V | -30 | V | ||
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-24V, VGS=0V | -1.0 | µA | ||
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=-250µA | -1.0 | -1.3 | -3.0 | V |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-15A | 8.0 | 11 | mΩ | |
| 正向跨导 | gfs | VDS=-5V, ID=-10A | 30 | S | ||
| 二极管正向电压 | VSD | IS=-1A, VGS=0V | -0.72 | -1.0 | V |
这些电性能参数为工程师提供了详细的设计参考，确保在各种应用场景中都能实现最佳性能。
5. 应用案例
案例1：笔记本电脑电源管理
在笔记本电脑中，AP20P30S可以用于电源管理模块，确保高效的能量转换和低功耗。其低导通电阻和高电流处理能力使得笔记本电脑在长时间使用时仍能保持高效和稳定。
案例2：便携式设备
对于便携式设备，如智能手机和平板电脑，AP20P30S的高效电源管理能力可以显著延长电池寿命，提升用户体验。
案例3：电池供电系统
在电池供电系统中，AP20P30S的低功耗特性可以显著提高系统的整体效率，延长电池的使用时间。
6. 设计方案与PCB设计
设计方案
在设计电源管理电路时，AP20P30S可以作为开关元件，用于控制电源的开关和调节。其低导通电阻和高电流处理能力使得电路设计更加简洁高效。
PCB设计
在PCB设计中，建议将AP20P30S放置在靠近电源输入和输出的位置，以减少线路损耗。同时，确保足够的散热设计，以应对高电流下的热量积累。
7. 购买方式
联系ALLPOWER(铨力)的代理商深圳市力贝电子有限公司的QQ906391763购买，1片起，备好直接来国利大厦2522来拿，方便快捷。
8. 总结
AP20P30S是一款高性能的P沟道功率MOSFET，适用于各种电源管理和电池供电系统。其低导通电阻、高电流处理能力和广泛的应用场景，使其成为工程师的理想选择。无论是笔记本电脑、便携设备还是电池供电系统，AP20P30S都能提供高效、可靠的解决方案。
希望这篇文章能帮助您更好地了解AP20P30S，并在您的设计中发挥其最大潜力。如果您有任何问题或需要进一步的技术支持，请随时联系我们的代理商深圳市力贝电子有限公司。