场效应管(MOSFET)_AP18P30Q_规格书

简介

AP18P30Q是一款P沟道增强型MOSFET，具有-30V的耐压和-20A的连续漏极电流。它的导通电阻（RDS(ON)）在VGS=-10V时典型值为10.5mΩ，最大值为14mΩ。这款MOSFET采用沟槽DMOS技术，具有低导通电阻和高开关速度。

主要特性

• 低导通电阻：在VGS=-10V时，RDS(ON)仅为10.5mΩ，减少了导通损耗。
• 高开关速度：适合高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。
• 环保设计：符合无铅产品标准。

应用场景

• DC-DC转换器：适用于高效率的DC-DC转换器。
• 负载开关：用于便携设备的负载切换。
• 电池开关：适用于电池管理电路。

设计建议

• PCB设计：在高频应用中，建议使用短而宽的走线以减少寄生电感。栅极驱动电路应尽量靠近MOSFET，以减少开关延迟。
• 散热设计：由于AP18P30Q的最大功耗为30W，建议使用散热片或风扇进行散热，尤其是在高负载条件下。

购买方式

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